（SiC）晶体生长范畴，我国特别取得世界 IDM 的认可，导致产量大幅度增加。此前我国资料仅占全球约 5% 的产能，但是业界达观估计，2024 年我国在全球的占比有望到达 50%。

  天岳先进、天科合达、三安光电等公司均斥资进步碳化硅晶圆/衬底产能，现在这些我国企业每月的总产能约为 6 万片。跟着各公司产能开释，估计 2024 年月产能将到达 12 万片，年产能 150 万。

  依据职业音讯和市调组织的计算，此前天岳先进、天科合达算计占有全球 5% 的商场占有率，而全球四大碳化硅抢先厂商的比例要大得多，其间 Wolfspeed 占比 60%，Coherent 占比 15%，罗姆电子占比 13%，SK Siltron 占比 5%。

  业界称，此前不少海外研讨组织对我国企业的制作才能表明置疑，但是近期博世、意法半导体、英飞凌等都与我国企业签定碳化硅合约，足以证明我国在供给链中的位置快速提高。

  本年 5 月，天岳先进、天科合达两大厂商均在其官微宣告，与世界半导体大厂英飞凌签定了供货协议。依据协议，天科合达和天岳先进将为英飞凌供给用于出产 SiC 半导体的 6 英寸（150mm）碳化硅晶圆和晶锭，两家企业的供给量均将占到英飞凌未来长时间猜测需求的两位数比例。未来也将供给 200mm 直径碳化硅资料，助力英飞凌向 200mm 直径晶圆的过渡。

  本年 6 月，意法半导体在官网宣告，将同三安光电在我国重庆树立一个新的 8 英寸碳化硅器材合资制作厂。新的 SiC 制作厂方案于 2025 年第四季度开端出产，估计将于 2028 年全面完工，到时将更好地支撑我国的轿车电气化、工业电力和动力等运用日渐增加的需求。一起，三安光电将运用自有 SiC 衬底工艺，独自制作和运营一个新的 8 英寸 SiC 衬造厂，以满意该合资厂的衬底需求。

  剖析人士表明，现在全球商场首要运用 150mm 碳化硅晶圆，估计到 2024 年跟着制作商的扩产，产品价格将显着下滑，这会给竞赛力较弱的制作商带来应战。

  依据 TrendForce 集邦咨询此前研讨，从工业体系来看，我国的 SiC 功率半导体产量以功率元件业 (包括 Fabless、IDM 以及 Foundry) 占比最高，达 42.4%，接续为衬底片制作业及外延片制作业。

  关于 SiC 衬底及外延资料环节，我国厂商已逐步赢得海外抢先业者的认可，特别体现在外延片环节。须留心的是，在 SiC 晶体厚度与一致性指标上，本乡厂商仍需支付许多尽力，以期完成在轿车电驱体系等更多高端场景中的运用。当时我国正在打开大规模的 SiC 资料扩产举动，TrendForce 集邦咨询预估 2023 年我国 N-Type SiC 衬底产能 (折合 6 英寸) 可达 1020Kpcs，其间以天科合达比例续居首位。

  跟着新动力轿车、光伏、储能、充电桩等下流商场的快速迸发，我国的 SiC 功率元件商场规模正在敏捷扩展。据 TrendForce 集邦咨询计算，按 2022 年运用结构来看，光伏储能为我国 SiC 商场最大运用场景，占比约 38.9%，接续为轿车、工业和充电桩等。当然，轿车商场作为未来开展主轴，行将逾越光伏储能运用，其比例至 2026 年有望攀升至 60.1%。

  在此状况下，我国已有约 70 家厂商切入 SiC 功率元件事务，全体商场进入高度竞赛阶段。特别针对低阶二极管，不少厂商深感无力而连续退出，进一步聚集凸显中心竞赛力的 MOSFET 事务。

  再调查 SiC 晶圆产线状况，据 TrendForce 集邦咨询不完全计算，到 3Q23，我国已有约 24 家厂商进入 SiC 晶圆制作。其间 IDM 厂商 15 家，7 家完成量产；Foundry 厂商 9 家，5 家完成量产。以各家晶圆产能来看，三安光电与积塔半导体别离位居 IDM 与 Foundry 厂商首位。

  全体来看，尽管我国 SiC 晶圆厂产能扩张的脚步仍在持续，但有用的 MOSFET 产能并不抱负。TrendForce 集邦咨询计算 2022 年由我国厂商开释的 SiC MOSFET 晶圆产能尚缺乏全球 10%，不过这一状况估计自 4Q23 开端会有所好转。

  现在，无论是上游资料、晶圆代工厂、器材、封装，国内涵 SiC 的各个细分供给链环节都已有玩家在热心参与。但现在海外厂商在碳化硅范畴仍占有先发优势，国内企业仍在起步阶段，技能不断追逐一起产能尚在爬坡。尽管商场产销两旺，但我国碳化硅功率器材仍处于前期阶段，怎样来降低成本、安稳质量、提高良率，是国产碳化硅功率半导体大规模运用的要害。

备注：我厂专为离心铸管生产稀土镁硅合金丝线。
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